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2023-06-270
碳化硅MOS与硅基MOS及IGBT的区别
SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别信息来源：知乎功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。SiC-MOSFET的特征SiC-SBD的章节中也使用了类似的图介绍了耐压覆盖范围。本图也同样，通过与Si功率元器件的比较，来表示SiC-MOSFET的耐压范围。目前SiC-MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关…
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2023-06-150
将新增16万片产能！天科合达江苏徐州碳化硅晶片二期扩产项目开工
信息来源:全球半导体观察整理8月8日，天科合达全资子公司江苏天科合达半导体有限公司（简称“江苏天科合达”）碳化硅晶片二期扩产项目开工活动在徐州市经济开发区成功举办。据介绍，江苏天科合达徐州经开区二期扩产项目，拟投资8.3亿元，占地70亩，建筑面积约5万平方米，购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台(套)。二期项目将新增16万片产能，并计划明年6月份建设完成，同年8月份竣工投产，届时江苏天科合达总产能将达到23万片。江苏天科合达半导体股份有限公司成立于2018年10月，注册地为徐州市经济技术开发区，注册资金10000万元，是北…
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2023-06-080
第三代半导体推动“双碳”目标实现大有可为
半导体企业在“双碳”进程中扮演的角色一个是自身生产运营中的降碳，另一个是用自己的产品去助力其他企业、行业实现节能降碳。企业脱碳的战略部署，一是由于行业属性和企业目标不同而产生差异，二是取决于企业自身能力和转型深度。至于实现碳中和的关键，碳化硅因其独特优势，会是差异化的关键点，也将推动系统层面的创新。半导体企业可以在多个方面进行减排，包括半导体生产过程中的能耗、废水、废气，以及半导体产品的能效、使用寿命等方面。通过强化半导体企业的减排意识，采取有效的减排措施，半导体企业可以降低碳排放，同时也可以降低…
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